LTC4446 - 高电压高压侧/低压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器

LTC4446 - 高电压高压侧/低压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 - Linear Technology（凌力尔特）

LTC4446 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4446 用于顶端栅极驱动器的上拉电路具有 2.5A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 1.2Ω 的输出阻抗。用于底端栅极驱动器的上拉电路具有 3A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 0.55Ω 的输出阻抗。

LTC4446 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。

LTC4446 包含欠压闭锁电路，用于在器件启动时停用外部 MOSFET。

LTC4446 采用耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装。

LTC4446 不具备自适应贯通保护功能。如需了解具自适应贯通保护功能的相似驱动器，请查阅下表。

参数

LTC4446

LTC4444

LTC4444-5

贯通保护功能

无

有

有

绝对最大 TS

100V

100V

100V

MOSFET栅极驱动电压

7.2V 至 13.5V

7.2V 至 13.5V

4.5V 至 13.5V

VCC UV+

6.6V

6.6V

4V

VCC UV¯

6.15V

6.15V

3.5V

自举电源电压高至 114V

宽 VCC 电压：7.2V 至 13.5V

2.5A 峰值顶端栅极上拉电流

3A 峰值底端栅极上拉电流

1.2Ω 顶端栅极驱动器下拉电阻

0.55Ω 底端栅极驱动器下拉电阻

5ns 顶端栅极下降时间驱动 1nF 负载

8ns 顶端栅极上升时间驱动 1nF 负载

3ns 底端栅极下降时间驱动 1nF 负载

6ns 底端栅极上升时间驱动 1nF 负载

可驱动高压侧和低压侧 N 沟道 MOSFET

具欠压闭锁功能

耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装

分布式电源架构

汽车电源

高密度电源模块

电信系统

器件型号	封装	温度	价格 (以 1 ~ 99 片为批量)	价格 (以 1000 片为批量)
LTC4446EMS8E#PBF	MS-8	E	$2.42	$1.69
LTC4446EMS8E#TRPBF	MS-8	E		$1.75
LTC4446IMS8E#PBF	MS-8	I	$2.59	$1.81
LTC4446IMS8E#TRPBF	MS-8	I		$1.87

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