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LTC4446技术文档下载：
LTC4446 - 典型应用图例：
LTC4446 - 封装图解：
LINEAR凌力尔特芯片：
- LT1161IN#PBF - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- LT1009S8#PBF - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 电压基准
- LT1640ALCS8#PBF - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 热插拔控制器
- LTC1542CDD#PBF - 集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 特殊用途放大器
- LT6370HDD#TRPBF - 集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 仪器，运算放大器，缓冲器
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- LTC3861EUH-1#PBF - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > DC-DC 开关控制器
- LTC2338HMS-18#TRPBF - 集成电路（IC） > 数据采集 > 模数转换器（ADC）
- LTC1662CN8#PBF - 集成电路（IC） > 数据采集 > 数模转换器（DAC）
- LTC3892HFE-1#TRPBF - 集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > DC-DC 开关控制器
- LTC2489IDE#PBF - 集成电路（IC） > 数据采集 > 模数转换器（ADC）
- LTC6241HVCDD#TRPBF - 集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 仪器，运算放大器，缓冲器
- LT6233IS6-10#TRMPBF - 集成电路（IC） > 线性 > 放大器 > 仪器，运算放大器，缓冲器
LTC4446 - LTC4446是高电压高压侧/低压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器
LTC4446是LINEAR凌力尔特公司的一款高压侧开关和 MOSFET 驱动器产品，LTC4446是LTC4446是高电压高压侧/低压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器，本站介绍了LTC4446的封装应用图解、特点和优点、功能等，并给出了与LTC4446相关的LINEAR元器件型号供参考。
LTC4446 - LTC4446是高电压高压侧/低压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 - 高压侧开关和 MOSFET 驱动器 - 监视、控制和保护 - 凌力尔特
LTC4446 - 高电压高压侧/低压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器
LTC4446 - 高电压高压侧/低压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 - Linear Technology（凌力尔特）
功能描述
LTC4446 是一款高频高电压栅极驱动器，可利用一个 DC/DC 转换器和高达 100V 的电源电压来驱动两个 N 沟道 MOSFET。强大的驱动能力降低了具高栅极电容 MOSFET 中的开关损耗。LTC4446 用于顶端栅极驱动器的上拉电路具有 2.5A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 1.2Ω 的输出阻抗。用于底端栅极驱动器的上拉电路具有 3A 的峰值输出电流，而其下拉电路则具有 0.55Ω 的输出阻抗。 LTC4446 针对两个与电源无关的输入进行配置。高压侧输入逻辑信号在内部被电平移位至自举电源，此电源可以在高出地电位达 114V 的电压条件下运行。
LTC4446 包含欠压闭锁电路，用于在器件启动时停用外部 MOSFET。
LTC4446 采用耐热增强型 8 引脚 MSOP 封装。
LTC4446 不具备自适应贯通保护功能。如需了解具自适应贯通保护功能的相似驱动器，请查阅下表。
参数
LTC4446
LTC4444
LTC4444-5
贯通保护功能
无
有
有
绝对最大 TS
100V
100V
100V
MOSFET栅极驱动电压
7.2V 至 13.5V
7.2V 至 13.5V
4.5V 至 13.5V
VCC UV+
6.6V
6.6V
4V
VCC UV¯
6.15V
6.15V
3.5V
特点
应用
以下列出了不同封装及包装形式的具体型号,并标出了直接在linear官网上订货的价格（美元）
| 器件型号 | 封装 | 温度 | 价格 (以 1 ~ 99 片为批量) | 价格 (以 1000 片为批量) |
|---|---|---|---|---|
| LTC4446EMS8E#PBF | MS-8 | E | $2.42 | $1.69 |
| LTC4446EMS8E#TRPBF | MS-8 | E | $1.75 | |
| LTC4446IMS8E#PBF | MS-8 | I | $2.59 | $1.81 |
| LTC4446IMS8E#TRPBF | MS-8 | I | $1.87 |
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