LTC4413 - 采用 3mm x 3mm DFN 封装的双通道 2.6A、2.5V 至 5.5V 理想二极管

LTC4413 - 采用 3mm x 3mm DFN 封装的双通道 2.6A、2.5V 至 5.5V 理想二极管 - Linear Technology（凌力尔特）

LTC4413 包含两个单片式理想二极管，各能够从 2.5V 至 5.5V 的输入电压提供高达 2.6A。每个理想二极管采用一个 100mΩ P 沟道 MOSFET，用于独立地把 INA 连接至 OUTA，以及将 INB 连接至 OUTB。在标准的正向操作期间，这些二极管两端的电压降均被调节为低至 28mV。在二极管电流高达 1A 时，静态电流将小于 40μA。如果任一个输出电压超过其各自的输入电压，则 MOSFET 被关断，且有少于 1μA 的反向电流从 OUT 流至 IN。每个 MOSFET 中的最大正向电流被限制在一个恒定值 2.6A，而内部热限制电路负责在故障条件下对器件实施保护。

两个高态有效控制引脚可独立地关断 LTC4413 内含的两个理想二极管，从而控制操作模式 (如表 1 所述)。当选定通道被反向偏压，或者 LTC4413 被置于低功率待机状态时，一个状态信号将利用一个低电压来指示该条件。

一个 9μA 漏极开路 STAT 引脚用于指示传导状态。当通过一个 470k 电阻器终接至一个正电源时，STAT 引脚可用来指示选定的二极管在高电压处于传导状态。 该信号可用来驱动一个辅助 P 沟道 MOSFET 电源开关，以在 LTC4413 不传导正向电流时控制第三个交流电源。

LTC4413 采用 10 引脚 DFN 封装。